关于多核处理器的介绍和分析

2019-10-25 作者:电脑   |   浏览(60)

  多核不一定会使你的手机或电脑速度更快,但它将提高你的PC的整体性能,这是一个有所不同的细微的技术特色。多核处理器的性能提升并不是简单核心的倍数,因为受到两(多)个核之间共享资源的拖累。比如双核性能只是单核的1.4~1.8倍,实际情况取决于具体的应用。

  一个核拼命干活,拼命转啊转啊,其他核在看,最后温度不断上升然后蓝屏了。。。。

  上图是个笑话,不过你可以用任务管理器可以看到并不是每个核的负载时均匀分配的。

  从理论上来说,多核的性能肯定要比单核高很多。不过软件的发展远远跟不上硬件发展的速度,这样多核CPU在实际应用中就无法发挥其应用的功效,比如现在四核CPU已经非常的普及,但是针对四核优化的应用软件寥寥可数。即使你已经用上八核的CPU,在运行很多软件时仍然不会感到速度有多快得提升。因此我们并不要唯核是从,多核的不一定是最优的。“够用就好”永远是大家装机时选择硬件的唯一原则。另外由于架构、主频的不同,多核也并不一定比少核性能高。

  为了充分发挥CPU功效和减少用户支出,现在越来越多CPU集成GPU功能,比如Intel就在Sandy Bridge把GPU核心整合进了CPU当中,其GPU核心的图形核心性能大幅度的提升。

  多核化是无奈之举:以前,半导体工艺的发展可以带来“一举三得”的效果,包括提高晶体管速度、降低功耗和缩小芯片面积。但是,当制造工艺发展到90nm或65nm时,泄漏电流的问题凸显,沿用以往的内部架构来提高频率的方法难以奏效。为了在不提高工作频率的条件下实现性能的提升,只能增加CPU内核的数量。

  在有许多客户机要求进行并行处理的服务器中,多核架构容易获得比较好的效果。但是,问题发生在根据用户的要求运行应用软件的客户机里。由于可能同时运行的软件数量有限,即使可以将各个软件分割以后并行执行,但软件中必须串行执行的部分仍然会妨碍处理性能的提升。许多相关人士认为,在目前这种架构的PC中,4~8个内核可能是多核处理器能够获得较好性能提升效果的极限。

  集成多个不同类型的内核:另一方面,提供新体验的高级用户接口、动态及静态图像分析等新的应用软件的不断出现,对处理器的处理性能提出了更高的要求。如果处理器仅在目前以CPU内核为主的架构上继续发展,这些新应用可能将无法实现。

  2007年9月,英特尔公司董事会名誉主席Gordon Moore在英特尔秋季技术峰会上表示:“众所周知,摩尔定律在物理上是有极限的。大约10年或15年以后,摩尔定律将会遇到根本性障碍,而退出历史舞台。”反过来说,Moore认为,半导体工艺的发展很可能还会像以前那样再延续10年左右。在把工艺发展当作技术推动力的同时,为了越过横亘在多核架构前面的壁垒,处理器应该采用什么样的内部架构呢?

  业界想到的方案是采用异构处理器架构,即将不同类型的内核集成在一起。在这种架构中,CPU内核所不擅长的浮点运算及信号处理工作,将由集成在同一块芯片上的其它可编程内核执行。相关人士认为,集成多个不同类型内核的异构多核架构将成为今后处理器的主流架构。

  从同构到异构通用处理器将实现SoC化:Nvidia公司的总裁兼CEO指出:“目前,图形芯片具有的浮点运算性能已经大大超越了处理器。如果能够灵活运用,随着图形芯片的发展,将会涌现出各种各样新的应用。”在占据PC及服务器主流地位的x86处理器中,围绕GPU(图形处理单元)展开的相关研发工作突然活跃起来。

  GPU的集成和通用化取得进展:围绕GPU的研发方向主要有两个。首先,是将GPU内核集成到处理器芯片上。AMD公司在2006年7月收购了加拿大的GPU生产商ATI科技公司,并提出了将ATI公司的GPU内核集成到处理器上的Fusion处理器方案。另外,英特尔公司在2007年4月明确表示,正在开发矢量处理器Larrabee(开发代号),其中集成了许多专用于浮点运算的CPU内核。

  另一个研发方向是,利用GPU擅长对浮点运算进行并行处理的特点,将其用作矢量处理器。这就是面向通用计算领域的GPGPU(General Purpose CompuTIng on GPU),NVIDIA公司从2006年下半年已陆续推出相关的硬件产品及软件开发工具(见图1)。

  赛灵思推了一款新器件的时候,估计英特尔老大科再奇惊得要从椅子上掉下来了。

  这其实就是一款异构处理器,如前所述,它是一款ASIC就级的异构处理器!而且是64位,采用16nm FinFET工艺的处理器!而且是采用FPGA实现硬加速的处理器!

  Intel收购Altera,说明Intel坐不住了。一场大戏即将开幕。拭目以待。

  双(多)核:是指拥有两(或多个)物理核心(又称为内核),各种CPU核心都具有固定的逻辑结构,一级缓存、二级缓存、执行单元、指令级单元和总线接口等逻辑单元,各个核心通过超传输技术让CPU内核直接跟外部I/O相连,集成内存控制器技术,使得每个内核都有自己的高速缓存可资遣用,都有自己的专用车道直通I/O,没有资源争抢的问题。

  双(多)芯:仅仅将两(或多个)完整的CPU封装在一起,连接到同一个前端总线上。由于总线的限制,两个核心必然会产生总线争抢,影响性能,而且这样的核心越多,越容易加剧处理器争用前端总线带宽,成为提升系统性能的瓶颈,这是CPU架构引发的先天故障,因此这种双(多)芯实际上是“假多核”。双芯有些像是北京郊区开发的大型社区一样,多个社区利用同一条城市快速路,人们出行(数据处理)肯定要遇到堵车的问题。双核则是为不同小区开发专用车道,每个小区出行并不交叉(数据可以并行处理),并不会发生堵车现象。

  HT技术(即超线程技术):HT技术是在处理器实现2个逻辑处理器(注意不是物理处理器),是充分利用处理器资源,类似虚拟CPU,让系统误认为是双核处理器。而双核心处理器是集成2个物理核心,是实际意义上的双核心处理器。举个形象例子来说,前者好像是一个能用双手同时炒菜的厨师,但一次只能把一碟菜放到桌面;而双核心处理器好比2个厨师炒两个菜,并同时把两个菜送到桌面。

  多任务是指系统可以同时执行多个任务,比如你可以一边下载、一边听歌,Windows可以很好支持多任务的运行,这和多核CPU并没有多大关系。多线程则是指系统可以针对某项操作,调用多个CPU进行并行处理。比如支持多线程的PS,在批处理多个操作(如滤镜、抠图)时,系统就会调用多路CPU并行处理这些操作以提高操作效率。

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  The TPIC46L01, TPIC46L02, and TPIC46L03 are low-side predrivers that provide serial input interface and parallel input interface to control six external field-effect transistor(FET) power switches such as offered in the Texas Instruments TPIC family of power arrays. These devices are designed primarily for low-frequency switching, inductive load applications such as solenoids and relays. Fault status for each channel is available in a serial-data format. Each driver channel has independent off-state open-load detection and on-state shorted-load/short-to-battery detection. Battery overvoltage and undervoltage detection and shutdown are provided. Battery and output load faults provide real-time fault reporting to the controller. Each channel also provides inductive-voltage-transient protection for the external FET. These devices provide control of output channels through a serial input interface or a parallel input interface. A command to enable ...

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  TL431LI器件是3端子可调节并联稳压器,在适用的汽车级,商用级和军用级温度范围内均可满足规定的热稳定性。可以通过两个外部电阻器将输出电压设置为介于V ref (约为2.495V)和36V之间的任意值。这些器件具有0.3Ω的输出阻抗典型值。有源输出电路可提供非常急剧的导通特性,从而使这些器件在许多应用中成为齐纳二极管的出色替代品,这些应用包括板载稳压,可调节电源和开关电源。这款器件是工业标准TL431的引脚对引脚替代品,且具有优化的I ref 和I Idev 性能。更低的I ref 和我 Idev 值可帮助设计人员实现更高的系统精度和更低的漏电流.TL432LI器件具有与TL431LI器件完全相同的功能和电气特性,但是具有不同的DBZ封装引脚排布。 TL431LI器件具有A和B两个等级,25°C下的始容差分别为1%和0.5%。此外,低输出温漂可确保在整个温度范围内保持出色的稳定性。 TL43xLIxQ器件的额定工作温度范围是-40°C至125°C。 特性 25°C下的基准电压容差 0.5%(B级) 1 %(A级) 最低典型输出电压:2.495V 可调输出电压:V ref 至36V -40°C至+ 125°C的运行范围(Q级温度) 最大温漂 10mV(C级温度) 17...

  TPS7A11是一款超小型,低静态电流,低压差稳压器(LDO)。该器件具有出色的交流性能(负载和线 mA电流。该器件的输入范围为0.75 V至3.3 V,输出范围为0.5 V至3.0 V,具有1.5%的超高精度精度,线和温度。这种性能是向现代微控制器(MCU)和模拟传感器的较低核心电压供电的理想选择。 主电源路径通过IN引脚,可以连接到电源,电压低于140 mV输出电压。该器件支持极低的输入电压,并使用额外的V BIAS 电压轨,用于为LDO的内部电路供电。 IN和BIAS引脚分别消耗1.6μA和6μA的极低静态电流。低I Q 和超低压差特性有助于提高功耗敏感应用中解决方案的效率。例如,IN引脚的电源电压可以输出高效率的DC /DC降压稳压器,而BIAS引脚电源电压可以是可充电电池。 TPS7A11配备了一个有源下拉电路可在禁用时快速对输出放电,并提供已知的启动状态。 TPS7A11采用小型2.00 mm×2.00 mm WSON,6引脚(DRV)封装,超小型0.74 mm×1.09 mm,5引脚DSBGA(YKA)封装,使器件适用于空间受限的应用。 特性 超低输入电压范围:0.75 V至3.3 V 超低压降,实现最小功率损耗:

  LP8732xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8732xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8732xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 2A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...

  TPS73801-SEP是一款低压差(LDO)稳压器,针对快速瞬态响应进行了优化。该器件可提供1 A输出电流和压差300 mV。工作静态电流为1 mA,关断时降至1μA以下。静态电流控制良好;与许多其他监管机构一样,它不会辍学。除快速瞬态响应外,TPS73801-SEP稳压器还具有极低的输出噪声,非常适合灵敏的RF电源应用。 输出电压范围为1.21至20 V.TPS73801-SEP稳压器稳定无输出电容低至10μF。可以使用小型陶瓷电容器,而无需增加ESR,这与其他调节器一样。内部保护电路包括反向电池保护,限流,热限制和反向电流保护。该器件可作为可调节器件,具有1.21V参考电压。 TPS73801-SEP调节器采用6引脚TO-223(DCQ)封装。 特性 VID V62 /18616 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫在125°C时43MeV-cm 2 /mg 每个晶圆批次的总离子剂量(TID)RLAT高达20 krad(Si)

  空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知

  TPS7A25低压降线性稳压器(LDO)集独特的2.4V至18V输入电压范围和极低静态电流(I Q

  )组合特性于一体。这些特性可更好地帮助现代电器满足日益严苛的能源要求,并有助于延长便携式电源解决方案的电池寿命。 TPS7A25有固定电压和可调节电压两种版本可供选用。固定电压版本无需外部电阻器,有助于最大限度减小印刷电路板(PCB)尺寸。为了获得更大的灵活性或更高的输出电压,可调节电压版本使用反馈电阻器将输出电压设置为1.24V到17.7V。两种版本都具有1%的输出调节精度,这有助于为大多数微控制器单元(MCU)提供高精度调节。 在电流为300mA时,TPS7A25 LDO拥有小于300mV的最大压降,因此它比标准线性稳压器的工作效率更高。该最大压降电压允许从5.5V输入电压(V IN )至5.0V输出电压(V OUT )均实现90%的效率。 电源正常(PG)指示灯可以用来保持MCU处于复位状态,直到电源正常,或用于电源定序.PG引脚为开漏输出;因此,该引脚很容易进行电平位移,以便通过V OUT 以外的导轨进行监控。内置电流限制和热关断有助于在发生负载短路或故障时保护稳压器。 特性 超低I Q :2.5μA 输入电压...

  TL431LI器件是3端子可调节并联稳压器,在适用的汽车级,商用级和军用级温度范围内均可满足规定的热稳定性。可以通过两个外部电阻器将输出电压设置为介于V ref (约为2.495V)和36V之间的任意值。这些器件具有0.3Ω的输出阻抗典型值。有源输出电路可提供非常急剧的导通特性,从而使这些器件在许多应用中成为齐纳二极管的出色替代品,这些应用包括板载稳压,可调节电源和开关电源。这款器件是工业标准TL431的引脚对引脚替代品,且具有优化的I ref 和I Idev 性能。更低的I ref 和我 Idev 值可帮助设计人员实现更高的系统精度和更低的漏电流.TL432LI器件具有与TL431LI器件完全相同的功能和电气特性,但是具有不同的DBZ封装引脚排布。 TL431LI器件具有A和B两个等级,25°C下的始容差分别为1%和0.5%。此外,低输出温漂可确保在整个温度范围内保持出色的稳定性。 TL43xLIxQ器件的额定工作温度范围是-40°C至125°C。 特性 25°C下的基准电压容差 0.5%(B级) 1 %(A级) 最低典型输出电压:2.495V 可调输出电压:V ref 至36V -40°C至+ 125°C的运行范围(Q级温度) 最大温漂 10mV(C级温度) 17...

  LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...

  TPS7B70-Q1是一款通过汽车电池供电的300mA低压降线性稳压器(LDO)。该器件在轻负载条件下的静态电流只有19μA。因此,TPS7B70-Q1是用于为微控制器(MCU)和控制器局域网(CAN)收发器等常开式组件供电的绝佳选择。 TPS7B70-Q1的输入电压范围扩展到了40V。该电压可帮助该器件承受瞬态条件,例如负载突降。该器件还具有电源正常(PG)引脚,可在输出电压实现稳压后通知系统。要实现必要的操作,您可以调整PG阈值电压和延迟.PG信号的阈值电压通过外部电阻器进行调整。请使用外部电容器来调整延迟。 此器件可在-40°C至+ 125° C的环境温度下运行,且结温范围为-40°C至+ 150°C。此外,此器件还采用了热传导封装,即使整个器件散热较多,也能实现持久运行,这是一种典型的脱离电池供电运行的特征。这些特性以及所包含的电流限制和热关断保护使得TPS7B70-Q1成为为汽车系统组件供电的绝佳选择。 特性 符合汽车类应用的应用 具有符合AEC-Q100标准的下列结果: 器件温度1级:-40°C至125°C的环境工作温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4B 器件结温范围: -40°C至+ 150°C 最大...

  TPS3703-Q1器件是集成的过压和欠压监控器或复位IC,是业界最小的6引脚DSE封装。这种高度精确的电压监控器是理想的系统,可在低压电源轨上运行,并且具有窄的裕量电源容差。当监控电压电源处于正常工作范围时,低阈值迟滞可防止错误复位信号。内部毛刺抗扰度和噪声滤波器进一步消除了由于错误信号引起的错误复位。 TPS3703-Q1不需要任何外部电阻来设置过压和欠压复位阈值,从而进一步提高了整体精度,降低了解决方案尺寸和成本。电容时间(CT)引脚用于在设置到每个器件的两个可用复位时间延迟之间进行选择,并通过连接电容器来调整复位时间延迟。单独的SENSE输入引脚和VDD引脚可实现高可靠性系统所需的冗余。 该器件具有6μA(典型值)的低典型静态电流规格.TPS3703-Q1适用于汽车应用并且有资格获得AEC-Q100 Grade1。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 设备HBM ESD分类等级2 设备CDM ESD分类等级C7B 输入电压范围:1.7 V至5.5 V 欠压锁定(UVLO):1.7 V 低静态电流:6μA(典型值) 高阈值精度: 0.25%(典型值) 0.9%...

  TPS7A25低压差线性稳压器(LDO)引入了2.4 V至18 V输入电压范围的独特组合,具有极低的静态电流(I Q )。这些功能更好地帮助现代设备满足日益严格的能源需求,并有助于延长便携式电源解决方案的电池寿命。 TPS7A25有固定版和可调版两种版本。固定电压版本消除了外部电阻,有助于最大限度地减少印刷电路板(PCB)面积。对于更高灵活性或更高输出电压,可调版本使用反馈电阻将输出电压设置为1.24 V至17.64 V.两种版本均具有1%的输出调节精度,可为大多数微控制器(MCU)提供精确调节。 TPS7A25 LDO的工作效率高于标准线 mA电流下,最大压差低于360 mV。从5.4 V输入电压(V IN )到5.0 V输出电压(V OUT ),此最大压差电压允许92.5%的效率。 电源就绪(PG)指示灯可用于将MCU保持在复位状态,直到电源正常或用于排序。 PG引脚为漏极开路输出;因此,引脚很容易移位,以便通过V OUT 以外的轨道进行监控。内置电流限制和热关断有助于在负载短路或故障时保护稳压器。 特性 超低I Q :2.5μA 输入电压:2.4 V至18 V 提供输出电压选项: 固定:1.25 V至5 V 可调:1.24 V至1...

  TPS23755器件结合了以太网供电(PoE)供电设备(PD)接口,150V开关功率FET和电流模式DC-直流控制器针对反激拓扑进行了优化高度集成以及初级侧调节(PSR),扩频频率抖动(SSFD)和高级启动使得TPS23755成为尺寸受限应用的理想解决方案。 PoEimplementation支持IEEE 802.3at标准作为13W,Type 1 PD。 DC-DC控制器的PSR功能使用来自辅助绕组的反馈来控制输出电压,无需外部并联稳压器和光耦合器。它针对二次侧二极管整流器(通常为12 V输出或更高)进行了优化。通常,变频器以250 kHz的开关频率在连续导通模式(CCM)下工作。 SFFD和压摆率控制有助于最大限度地降低EMI滤波器的尺寸和成本。高级启动允许使用最小的偏置电容,同时简化转换器启动和设计。 辅助电源检测功能为次级侧电源适配器提供优先级,同时确保与PoE输入电源的平滑过渡,无效或热权衡。 DC-DC控制器具有内部软启动,斜率补偿和消隐功能。对于非隔离应用,TPS23755也支持降压拓扑。 特性 完整的IEEE 802.3at PD解决方案,适用于Type 1 PoE 以太网联盟(EA)徽标认证设计 稳健的100V,0.36Ω(典型值)热插拔MOSF...

  LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...

  TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V< V IT - ≤3.1V= 100mV(典...

  LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...

  LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...

  LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...

  与其它产品相比 多通道IC(PMIC)   Regulated outputs (#) Processor supplier Processor name Vin (Min) (V) Vin (Max) (V) Step-Up DC/DC Controller Step-Down DC/DC Controller LDO Step-Up DC/DC Converter Step-Down DC/DC Converter Iout (Max) (A) Iq (Typ) (mA) Features Shutdown Current (Typ) (uA) Rating Operating temperature range (C) Configurability Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TPS65216 TPS650250 TPS65217 TPS65218D0 TPS65910 5     6     9     7     12     Texas Instruments     Texas Instruments     Texas Instruments     Texas Instruments     Texas InstrumentsSamsungFreescale     AM335xAMIC110AMIC120     AM335xAMIC110     AM335x     AM437xAM438xAM335x     AM1705/07AM1806/08AM335xAM3505/17AM3703/15DM3730/25OMAP-L137/38OMAP350xxTMS320C674xS5PV210S5PC110S5PC100S5P6440xDM643xDM644xIMX...

  与其它产品相比 线性稳压器(LDO)   Output options Iout (Max) (A) Vin (Max) (V) Vin (Min) (V) Vout (Max) (V) Vout (Min) (V) Fixed output options (V) Package Group Features Regulated outputs (#) Operating temperature range (C) Thermal Resistance θJA (°C/W) Rating Output capacitor type PSRR @ 100 KHz (dB) Accuracy (%) Iq (Typ) (mA) Package size: mm2:W x L (PKG)   UC2832M Fixed Output     0.45     36     4.5     35     2     2     CDIP 14     Thermal Shutdown     1     -25 to 85     65     Military         90     1     3.3     See datasheet (CDIP)    ...

  The TPIC44L01, TPIC44L02, and TPIC44L03 are low-side predrivers that provide serial and parallel input interfaces to control four external FET power switches such as offered in the TI TPIC family of power arrays. These devices are designed primarily for low-frequency switching, inductive load applications such as solenoids and relays. Fault status for each channel is available in a serial-data format. Each driver channel has independent off-state open-load detection and on-state shorted-load/short-to-battery detection. Battery overvoltage and undervoltage detection and shutdown is provided on the TPIC44L01/L02. On the TPIC44L03 driver, only over-battery voltage shutdown is provided. Each channel also provides inductive-voltage-transient protection for the external FET. These devices provide control of output channels through a serial input interface or a parallel input interface. A command to enable the output from either interface e...

  TPS92515AHV-Q1是一款紧凑型单片开关稳压器,内置低阻N沟道MOSFET。该器件适用于高亮度LED照明应用,具有高效率,高带宽,PWM或模拟调光和小尺寸的特点。 稳压器以恒定的关断时间,峰值电流控制运行。操作简单:在基于输出电压的关闭时间之后,开始接通时间。一旦达到导体峰值电流阈值,导通时间结束。 TPS92515AHV-Q1器件可配置为在并联FET调光周期的ON和OFF周期内保持恒定的峰峰值纹波。该周期非常适合在整个分流FET调光范围内保持线性响应。 低偏移,高端比较器有助于创建稳态精度。可以使用模拟调光或PWM调光或两者同时调制LED电流。其他功能包括UVLO,宽输入电压操作,固有LED开路操作和宽工作温度范围以及热关断。 TPS92515AHV-Q1器件提供高压选项,输入范围高达65 V,采用非热增强型10引脚HVSSOP封装。 特性 AEC-Q100 1级合格 集成290mΩ(典型值)内部N沟道FET 输入电压范围 TPS92515AHVx:5.5 V至65 V 启动后低至5.15 V的操作 低偏置高侧峰值电流比较器 恒定平均电流,最高2 A 固有的逐周期电流限制 多种调光方法 10,000:1分流PWM调光范围 1000:1...

  UCC27282是一款强大的N沟道MOSFET驱动器,最大开关节点(HS)电压为100 V.它允许两个N沟道MOSFET以半桥或同步架构配置为基础的拓扑结构进行控制。其3.5 A峰值吸收电流和2.5 A峰值源电流具有低上拉和下拉电阻,使UCC27282能够在MOSFET米勒平台转换期间以最小的开关损耗驱动大功率MOSFET。由于输入与电源电压无关,因此UCC27282可与模拟和数字控制器配合使用。 输入引脚和HS引脚能够承受显着的负电压,从而提高系统的稳健性。输入互锁进一步提高了高噪声应用中的鲁棒性和系统可靠性。 esnable和disable功能通过降低驱动器的功耗并响应系统中的故障事件,提供额外的系统灵活性。 5V UVLO允许系统在较低的偏置电压下工作,这在许多高频应用中是必需的,并且在某些工作模式下提高了系统效率。小传播延迟和延迟匹配规范可最大限度地减少死区时间要求,从而进一步提高效率。 为高压侧和低压侧驱动器提供欠压锁定(UVLO),如果VDD电压,则强制输出为低电平低于指定的阈值。集成的引脚二极管在许多应用中无需外部分立二极管,可以节省电路板空间并降低系统成本。 UCC27282采用小型封装,可实现高密度设计。 特性 ...

  UCC21732-Q1是一款电流隔离式单通道栅极驱动器,设计用于高达1700V的SiC MOSFET和IGBT,具有先进的保护功能,同类最佳的动态性能和鲁棒性。 输入侧采用SiO 2 电容隔离技术与输出侧隔离,支持高达1.5 kV RMS 工作电压,12.8-kV PK 浪涌抗扰度超过40年隔离屏障寿命,以及提供低部件间偏斜和高CMTI。 特性 单通道SiC /IGBT隔离式栅极驱动器 AEC-Q100适用于汽车应用(计划资格) SiC MOSFET和IGBT高达1700 V 33 V最大输出驱动电压(VDD-COM) 高峰值驱动电流和高CMTI

  活动密勒夹具 UVLO,RDY上的电源良好 小传播延迟和脉冲/部件偏斜 工作温度范围-40°C至125°C 安全相关认证(计划): 8000-V PK V IOTM 和212-1-V PK V IORM 根据DIN V VDE增强隔离V0884-11(VDE V 0884-11):2017-01 5700-V RMS 隔离1分钟/UL1577 所有商标均为其各自的商标。拥有者。 参数 与其它产品相比 隔离栅极驱动器   Isolation rating (Vrms) DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) DIN V VDE V...

  REF34xx-Q1器件是一系列低温漂(6 ppm /°C),低功耗,高精度CMOS电压基准。该器件该器件还提供3.8μV PP /V的极低输出噪声,这使得器件在用于高分辨率数据转换器和噪声关键型系统时能够保持较高的信号完整性。 这些器件的低输出电压迟滞和低长期输出电压漂移进一步提高了稳定性和系统可靠性。此外,此器件的小尺寸和低运行电流(95μA)使其非常适合电池供电类应用.REF34xx-Q1具有一个可将器件设置为关断模式的使能引脚,在该模式下,器件消耗较低的待机电流(3μA),以帮助降低待机期间的总体系统功耗。 REF34xx-Q1系列具有-40°C至+ 125°C的较宽额定温度范围。有关其他电压选项,请联系TI销售代表。 特性 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 初始精度:±0.05%(最大值) 温度系数:6ppm /°C(最大值) 运行温度范围:-40°C至+ 125°C 输出电流:±10mA 低静态电流:95μA(最大值)

  低关断模式电流:3μA(最大值) 宽输入电压:12V 输出1 /f噪声(0.1Hz至10Hz):3.8μV PP /V 出色的长期稳定性(25ppm /1000小时) 小型6引脚SOT-23封装 ...

  TLV767是一款宽输入线 V的输入电压范围和高达1 A的负载电流。可调版本的输出范围为0.8 V至6.6V或高达13.6 V. 此外,TLV767的输出精度为1%,可满足低压微控制器(MCU)和处理器的需求。 TLV767的设计比传统的宽泛的V IN 调节器具有更低的I Q ,从而使设备能够很好地满足日益增长的需求严格的待机功率要求。禁用时,TLV767仅消耗1.5μA的I Q 。 内部软启动时间和折返电流限制可减少启动期间的浪涌电流,从而最大限度地降低输入电容。 宽带宽PSRR性能在1 kHz时大于70 dB,在1 MHz时大于46 dB,这有助于衰减上游DC /DC转换器的开关频率,并最大限度地减少后稳压器滤波。为了提供更大的灵活性,TLV767具有固定和可调版本。 TLV767采用6引脚2 mm×2 mm WSON(DRV)封装。 特性 V IN :2.5 V至16 V V OUT : 0.8 V至13.6 V(可调) 0.8 V至6.6 V(固定,50 mV步) 负载和温度下1%输出精度 低I Q :50μA(典型值,关断时约1.5μA) 内部软件 - 开始时间:500μs(典型值) 折返式电流限制和热保护 使用1μF陶瓷电容器稳定 高PSRR:70 dB at...

  UCC21220和UCC21220A器件是隔离的双通道栅极驱动器,具有4A峰值源和6A峰值吸收电流。它旨在以最佳的动态性能驱动功率MOSFET,IGBT和GaN晶体管。 这些设备可以配置为两个低端驱动程序,两个高端驱动程序或半桥驱动程序。两个输出可以并联形成一个单独的驱动器,由于具有同类最佳的延迟匹配性能,在没有内部击穿的情况下,可以使重载条件下的驱动强度加倍。 输入侧与两个输出隔离驱动器采用-3.0 kV RMS 隔离栅,具有最低100 V /ns的共模瞬变抗扰度(CMTI)。 保护功能包括:DIS引脚关闭当它设置为高时,两个输出同时输出; INA /B引脚抑制短于5 ns的输入瞬态;输入和输出均可承受-2-V尖峰,持续200-ns,所有电源均具有欠压锁定(UVLO),有源下拉保护功能可在无电源或浮动时将输出钳位在2.1-V以下。 具有这些功能该器件可在各种电源应用中实现高效率,高功率密度和稳定性。 特性 窄体SOIC-16(D)封装 通用:双低侧,双高侧或半侧-Bridge驱动程序 切换参数: 28-ns典型传播延迟 10-ns最小脉冲宽度 5-ns最大延迟匹配 5.5-ns MaximumPulse-Width Distortion 集成度密度滤波器 共模瞬态抗扰度(CMTI)...

  LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...

  UCD90320U器件是一款采用紧凑型0.8mm间距BGA封装的32轨PMBus™可寻址电源序列发生器和系统管理器。采用ULA模塑化合物,减少α粒子引起的软化。设备扫描用户配置SRAM以检测单一故障(SEU)。这两种功能都为应用提供了更高的可靠性。 24个集成ADC通道(AMONx)监控电源电压,电流和温度。在84个GPIO引脚中,8个可用作数字监视器(DMONx),32个用于电源(ENx),24个用于裕度调节(MARx),16个用于逻辑GPO,32个GPI用于级联和系统功能。 32个ENx引脚和16个LGPOx引脚可配置为有源驱动或开漏输出。 非易失性事件记录可在断电后保留故障事件。当第一个故障发生时,黑匣子故障记录功能可保留所有导轨和I /O引脚的状态。级联功能提供了通过一个SYNC_CLK引脚连接管理多达128个电压轨的便捷方法。 FAULT引脚协调级联设备以采取同步故障响应。针脚选择的轨道状态功能最多可使用3个GPI来控制多达8个用户定义的功率。这些状态可以实现高级配置和PowerInterface (ACPI)规范中概述的系统低功耗模式。 TI Fusion Digital Power™设计器软件是基于PC的直观图形用户界面(GUI),可以配...

  REF34xx-EP器件是低温漂移(6 ppm /°C),低功耗,高精度CMOS电压基准,具有±0.05%的初始精度,低工作电流,功耗小于95μA。该器件还提供3.8μV p-p /V的低输出噪声,使其能够在噪声关键系统中通过高分辨率数据转换器保持高信号完整性。采用小型SOT-23封装,REF34xx-EP为MAX607x和ADR34xx提供增强型规格和引脚对引脚替代品。 REF34xx-EP系列与大多数ADC和DAC兼容,如ADS1287,ADUCM360,ADS1112。 器件的小尺寸和低工作电流(95μA)可使便携式和电池供电应用受益。 REF34xx-EP适用于-55°的宽温度范围C至125°C。有关其他电压选项,请联系TIsales代表。 特性 初始精度:±0.05%(最大值) 温度系数:6 ppm /°C(最大值) 工作温度范围:-55°C至125°C 输出电流:±10 mA 低静态电流:95μA(最大值) 宽输入电压:12 V 输出1 /f噪声(0.1 Hz至10 Hz):3.8μV PP /V 占地面积小6引脚SOT-23封装 支持国防,航空航天和医疗应用: 受控基线 一个装配/测试现场 一个制造现场 可用延长(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 ProductT...

关于多核处理器的介绍和分析